國內外MRAM技術的發展趨勢與現況
摘要
工研院電子所在今年獲得為期4年的名為「自旋電子元件與製程技術–磁電阻記憶體」國家級計畫的補助下,針對開發standalone MRAM關鍵技術及建立砍嵌入式技術(embedded MRAM)兩大方向進行研發。如今已經完成在8吋晶圓上0.18mm技術的開發,預計在2003年底前開發出1Kb之測試晶片,2004年開發出4Mb的測試晶片。
工研院電子所在今年獲得為期4年的名為「自旋電子元件與製程技術–磁電阻記憶體」國家級計畫的補助下,針對開發standalone MRAM關鍵技術及建立砍嵌入式技術(embedded MRAM)兩大方向進行研發。如今已經完成在8吋晶圓上0.18mm技術的開發,預計在2003年底前開發出1Kb之測試晶片,2004年開發出4Mb的測試晶片。
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