氧化鎵材料的物理特性
摘要
隨著日本對氧化鎵(Ga2O3)的研究屢獲進展，使這類材料逐漸走進大眾視野，氧化鎵作為一種超寬禁帶半導體材料，亦與金剛石(Diamond)、氮化鋁(AlN)等材料共同被譽為「第四代半導體」。
憑藉超寬的禁帶、超高的理論擊穿場強、較低的生長成本等優點，氧化鎵在高壓大功率元件、深紫外光電探測、抗輻照等方面具有良好應用前景。目前氧化鎵單晶和外延生長技術正朝著大尺寸、大範圍摻雜可控、低位元錯密度、高均一性、高品質的方向發展；功率元件正朝著大電壓、高品質因數、高可靠性方向發展；而深紫外探測正朝著高性能、陣列化、成像應用方向發展。
