2023-02-09 拓墣產業研究院

BJT、MOSFET、IGBT性能對比

圖表資料 IC產品設計中國半導體

意見反映字體大小小中大

摘要

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱絕緣柵雙極型電晶體，是車用功率半導體中最核心產品。從原理來看，IGBT是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件，不僅具有MOSFET開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小等優點，還具備BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的特點。電壓範圍覆蓋600～6500V，應用涵蓋工業電源、變頻器、新能源汽車、新能源發電到軌道交通、國家電網等一系列領域。

請輸入您的會員帳號與密碼，即可瀏覽全文

帳號

密碼

會員專屬

您好，該資料屬會員權益方可瀏覽，您需成為會員且購買此產業項目權限才可觀看，詳細說明如下：

拓墣產業研究院之「產業資料庫」為付費的會員服務，若您尚未具備會員身份，歡迎您申請加入或是與我們的客服聯絡瞭解。
若您所屬公司機關已具有拓墣會員身份，並且設定予貴公司人員線上申請，請先行移至「申請會員帳號」填寫申請資料後送出，我們會儘快為您審核辦理。若未開放線上申請，請您詢問貴公司的承辦連絡人處理，謝謝。
由於貴公司無採購此產業項目，因此您將無法瀏覽此篇文章，欲查詢貴公司所購買的產業項目明細，請至「會員權益」查詢，謝謝。