SiC襯底類別與應用
摘要
第三代半導體產業鏈可分為襯底材料製備、外延生長、元件製造與下游應用，其中襯底材料的電學性能決定下游晶片功能與性能的優劣。根據電學性能不同，SiC襯底可分為導電型(N-Type)和高純半絕緣型(HPSI)兩類。
導電型SiC襯底的電阻率區間為15～30mΩ·cm，其通常生長SiC同質外延，用來製造耐高溫高壓的SiC功率半導體元件，可應用於電動汽車、可再生能源、智慧電網等領域。半絕緣型SiC襯底的電阻率≥
105Ω·cm，通常生長GaN異質外延，用於製造GaN微波射頻元件，適合通信基站、國防場景。因此無論對SiC還是GaN產業鏈，SiC襯底材料的重要性不言而喻，業界亦持續給予高度關注。
