SiC、GaN元件應用電壓範圍
摘要
第三代半導體SiC、GaN在廠商競合關係中持續滲入功率半導體市場，在市場追求高壓、高功率應用需求下，GaN-on-Si HEMT已可於1.2kV下應用；SiC元件則是在2024～2025年陸續導入8吋晶圓量產，以降低元件單位成本。此外，許多廠商透過新技術和材料，有望大幅減少SiC和GaN元件成本，預計2025～2026年導入量產；其中，若得以實現平價的GaN基板，將有望許多GaN元件廠不僅研發HEMT元件產品，亦得以導入GaN垂直元件的研發。透過垂直元件架構可使GaN元件的耐受電壓和功率表現達到水平式HEMT無法觸及的境界。鑒於GaN和SiC在電壓應用重疊範圍的擴大，預計可陸續看到結合2種半導體特性優勢的新產品，呈現更優異的功率元件表現。
