2005-08-26 拓墣產業研究院

SiGe半導體在無線通訊的應用範圍

圖表資料 IC產品設計

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摘要

在無線通訊晶片領域，高整合度、高性能、低成本等，一直是努力科技研發努力的目標。目前在製造射頻無線通訊晶片，可使用矽雙極（Si Bipolar）、矽鍺（SiGe）和砷化鎵（GaAs），但這些技術的發展，往往因材料物理特性，而影響到晶片的性能與特性，而本篇將就矽鍺(SiGe)半導體具高頻特性且可與矽製程搭配，探討在未來無線通訊晶片領域扮演關鍵的角色。

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