下一代記憶體的全球市場發展
摘要
目前市場上主要的下一代記憶體技術有MRAM、FRAM、write-once 3D memory、Ovonic memory
‧MRAM：Magnetic Random Access Memory「磁阻式隨機存取憶體」，其原理與硬碟機非常相似，都是採用磁性效果來記憶資料
‧FeRAM或FRAM：Ferro RAM、Ferro-electric RAM）其原理乃利用記憶體核心的鐵電ferro-electric晶體中自由原子的位置來儲存數據狀態，與MRAM利用磁性方式來記憶的原理完全不同）
‧write-once 3D memory：單次寫入三次元記憶技術
‧Ovonic memory：原理使用電流加熱晶片材料的技術
