晶背供電技術示意圖
摘要
半導體晶背供電(Backside Power Delivery Network，BSPDN)正成為次世代製程技術的關鍵突破，致力於解決sub-10nm節點中性能與功耗的瓶頸挑戰。本篇報告深入解析三大主流技術路徑，包括背面埋入式電源軌道(BSBPR)、PowerVia與背面直接接觸(DBC)。在台積電、Intel與Samsung三大晶圓代工廠商的技術推動下，BSPDN不僅加速製程技術的演進，還為上下游產業鏈帶來嶄新的發展機遇。本篇報告進一步從技術層面探討BSPDN的核心製程環節，涵蓋晶圓鍵合、極限減薄與高精度曝光等，提供該技術的全面剖析。
