2023-04-13 拓墣產業研究院

全球GaN產業發展現狀淺析

焦點報告 IC製造與封測化合物半導體

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GaN材料具有高擊穿場強、高飽與電子漂移速率，以及抗輻射能力強和化學穩定性良好等優良特性，可製造光電子、功率半導體與高頻微波射頻元件，廣泛應用於LED、變壓器、資料中心、5G通訊、電動車等場景。

目前GaN晶體生長主要依附於GaN以外的襯底上進行，主要包括Si、SiC與藍寶石(Sapphire)等。本篇報告主要圍繞GaN功率元件、微波射頻元件與原材料三方面對GaN產業進行闡述。

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