矽鍺半導體在未來無線通訊晶片發展趨勢
摘要
在無線通訊晶片領域,高整合度、高性能、低成本等,一直是努力科技研發努力的目標。目前在製造射頻無線通訊晶片,可使用矽雙極(Si Bipolar)、矽鍺(SiGe)和砷化鎵(GaAs),但這些技術的發展,往往因材料物理特性,而影響到晶片的性能與特性,而本篇將就矽鍺(SiGe)半導體具高頻特性且可與矽製程搭配,探討在未來無線通訊晶片領域扮演關鍵的角色。
SiGe半導體在無線通訊的應用範圍
Souuce:拓墣產業研究所整理
在無線通訊晶片領域,高整合度、高性能、低成本等,一直是努力科技研發努力的目標。目前在製造射頻無線通訊晶片,可使用矽雙極(Si Bipolar)、矽鍺(SiGe)和砷化鎵(GaAs),但這些技術的發展,往往因材料物理特性,而影響到晶片的性能與特性,而本篇將就矽鍺(SiGe)半導體具高頻特性且可與矽製程搭配,探討在未來無線通訊晶片領域扮演關鍵的角色。
SiGe半導體在無線通訊的應用範圍
Souuce:拓墣產業研究所整理
© 2024 拓墣科技 及/或 集邦科技 版權所有