2017-09-06 拓墣產業研究院

SiC功率元件發展趨勢

焦點報告 IC製造與封測中國半導體

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傳統Si半導體材料雖然具備成熟的技術根基，與易量產和易整合的優點，但其本身結構和物理特性使得Si製作的電子元件在高溫、高頻與高電壓的操作環境和光電領域遭遇瓶頸，尤其在功率元件領域更是如此，為解決此瓶頸已有部分廠商將注意力轉移到第三代半導體材料SiC，本篇研究報告將以SiC功率元件為軸心提出見解。

SiC功率元件發展趨勢

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