2019-02-20 拓墣產業研究院

化合物半導體磊晶市場趨勢剖析

焦點報告 IC製造與封測

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摘要

傳統矽半導體因自身發展侷限，以及對摩爾定律(Moore’s Law)的限制，需尋找下一世代半導體材料；而化合物半導體材料的高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，能提供未來半導體發展所需，因此本篇報告將介紹化合物半導體特性、磊晶廠現況與終端市場情形，並進一步剖析未來終端市場走線和磊晶廠發展預估，以充分瞭解化合物半導體磊晶市場與未來趨勢。

化合物半導體磊晶市場趨勢剖析

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